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Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Compara
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB vs Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Puntuación global
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Puntuación global
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
65
En 22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.6
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
5.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
65
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
8.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
5.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1540
1981
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
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