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Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Compara
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Puntuación global
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
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Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
51
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
51
26
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1540
1836
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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