Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Kingston HP536727-H41-ELD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Gesamtnote
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Kingston HP536727-H41-ELD 4GB

Kingston HP536727-H41-ELD 4GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Unterschiede

Kingston HP536727-H41-ELD 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    26 left arrow 51
    Rund um -96% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.4 left arrow 11.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.5 left arrow 8.1
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    51 left arrow 26
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.6 left arrow 13.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.1 left arrow 8.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1540 left arrow 1836
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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