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Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Kingston HP536727-H41-ELD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB

総合得点
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Kingston HP536727-H41-ELD 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston HP536727-H41-ELD 4GB 考慮すべき理由
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 51
    周辺 -96% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 11.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.5 left arrow 8.1
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    51 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    11.6 left arrow 13.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 8.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1540 left arrow 1836

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