Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Kingston HP536727-H41-ELD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB

Kingston HP536727-H41-ELD 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    26 left arrow 51
    Wokół strony -96% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.4 left arrow 11.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.5 left arrow 8.1
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    51 left arrow 26
  • Prędkość odczytu, GB/s
    11.6 left arrow 13.4
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.1 left arrow 8.5
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1540 left arrow 1836
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania