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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
46
En -84% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
25
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2889
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
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Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
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