RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
46
Intorno -84% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
3200
Intorno 6.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
25
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
21300
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2889
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link