Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Gesamtnote
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Gesamtnote
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Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    60 left arrow 71
    Rund um 15% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 15.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    6.4 left arrow 2,109.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 6400
    Rund um 3.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    60 left arrow 71
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,162.7 left arrow 15.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,109.3 left arrow 6.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    784 left arrow 1650
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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