RAM-Vergleich Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Gesamtnote

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

60 71

Rund um 15% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

4 15.6

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

6.4 2,109.3

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 6400

Rund um 3.33 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

784 1650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns