Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Punteggio complessivo
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Punteggio complessivo
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Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    60 left arrow 71
    Intorno 15% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 15.6
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    6.4 left arrow 2,109.3
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 6400
    Intorno 3.33 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    60 left arrow 71
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,162.7 left arrow 15.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,109.3 left arrow 6.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    784 left arrow 1650
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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