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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
比較する
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
総合得点
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
総合得点
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
60
71
周辺 15% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
4
15.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
6.4
2,109.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
60
71
読み出し速度、GB/s
4,162.7
15.6
書き込み速度、GB/秒
2,109.3
6.4
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
784
1650
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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