RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
59
60
Rund um 2% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.4
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.2
2,123.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
6.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
4.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
1400
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link