RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
59
60
Около 2% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6.4
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
4.2
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
60
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
6.4
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
4.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
1400
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB Сравнения RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link