RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
18.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3116
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link