RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
24
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
22.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
19.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4251
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link