RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.5
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2631
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link