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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
59
Rund um -74% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
12.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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calculate
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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