RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
59
Около -74% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2616
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4A-H9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link