RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
59
Rund um -195% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
14.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3127
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link