RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
59
Wokół strony -195% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
20
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3127
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link