RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
59
Rund um -90% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
2,123.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
6.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
1763
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2B1600C9 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link