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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
59
左右 -90% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.8
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
31
读取速度,GB/s
4,833.8
11.7
写入速度,GB/s
2,123.3
6.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
1763
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
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