RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
59
Rund um -69% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
11.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2848
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kllisre 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link