RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kllisre 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Kllisre 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gesamtnote
Kllisre 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kllisre 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
62
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
2,378.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kllisre 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,670.6
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,378.6
8.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
861
2349
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kllisre 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation M424016 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link