RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
49
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
12.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
2936
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link