RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
13.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
59
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
13.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3146
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Elpida EBE10UE8ACWA-8G-E 1GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link