RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3146
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link