RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3146
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link