RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
59
Rund um -90% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
12.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3046
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link