RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
59
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3046
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link