RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
59
Rund um -90% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
12.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3256
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link