RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
69
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
12.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
5.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
1081
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link