RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
69
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.9
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
51
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
1081
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link