RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
69
Rund um -116% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
10.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
2895
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link