RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
比較する
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
総合得点
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
総合得点
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
15
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
69
周辺 -116% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
10.3
1,857.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
69
32
読み出し速度、GB/s
4,217.2
15.0
書き込み速度、GB/秒
1,857.7
10.3
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
668
2895
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAMの比較
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link