RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
69
Rund um -146% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.0
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
7.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
1728
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link