RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
74
Rund um -139% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
11.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
2813
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link