RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
26
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
13.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1952
3171
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Kingston KHX16 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link