RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
69
Rund um -130% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
11.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
2962
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link