RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
69
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2962
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link