RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
69
Rund um -116% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
12.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
2858
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link