RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
69
Intorno -116% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
1,857.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
32
Velocità di lettura, GB/s
4,217.2
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,857.7
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
668
2858
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link