RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
69
Rund um -146% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.5
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
16.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
3741
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link