RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
69
Около -146% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.5
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3741
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link