RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
18.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
46
Около -119% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.8
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
21
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
18.4
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2980
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB Сравнения RAM
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link