RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Сравнить
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB против Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
35
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.3
18.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
13.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
35
Скорость чтения, Гб/сек
18.5
19.3
Скорость записи, Гб/сек
13.8
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3341
3525
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link