RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Porównaj
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB vs Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
35
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
35
Prędkość odczytu, GB/s
18.5
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
13.8
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3341
3525
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965447-056.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link