RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3025
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Corsair VS2GB800D2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link