RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
69
Rund um -123% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.6
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
15.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
3142
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link