RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
47
Rund um -161% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
16.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1413
3575
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link