RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
25.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
69
Rund um -176% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.5
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
25.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
19.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
4167
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link