RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
25.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
69
Около -176% меньшая задержка
Выше скорость записи
19.5
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
25.2
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
19.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
4167
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link